Número do Produto do Fabricante:
SIR814DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIR814DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
12787318
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SIR814DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3800 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR814
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
CSD18502Q5B
FABRICANTE
Texas Instruments
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3810
NÚMERO DA PEÇA
CSD18502Q5B-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.04
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
BSC022N04LSATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
18064
NÚMERO DA PEÇA
BSC022N04LSATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.52
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SIR470DP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6457
NÚMERO DA PEÇA
SIR470DP-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.11
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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