Número do Produto do Fabricante:
SIR610DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIR610DP-T1-RE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 35.4A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
12786967
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SIR610DP-T1-RE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
ThunderFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1380 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR610
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIR610DP-T1-RE3CT
SIR610DP-T1-RE3DKR
SIR610DP-T1-RE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
QS8J4TR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8078
NÚMERO DA PEÇA
QS8J4TR-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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