Número do Produto do Fabricante:
SIR606DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIR606DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 37A (Tc) 44.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
2885 Pcs Novo Original Em Estoque
12786785
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SIR606DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.6V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1360 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
44.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR606
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIR606DP-T1-GE3CT
SIR606DP-T1-GE3TR
SIR606DP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RS3L045GNGZETB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1173
NÚMERO DA PEÇA
RS3L045GNGZETB-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.25
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
RS1G300GNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
16767
NÚMERO DA PEÇA
RS1G300GNTB-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.82
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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