Número do Produto do Fabricante:
SIR496DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIR496DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
12786505
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SIR496DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1570 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 27.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR496
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIR496DP-T1-GE3CT
Q6936817FH
SIR496DP-T1-GE3TR
SIR496DPT1GE3
SIR496DP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSC046N02KSGAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
19920
NÚMERO DA PEÇA
BSC046N02KSGAUMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.55
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SIR410DP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7636
NÚMERO DA PEÇA
SIR410DP-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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