Número do Produto do Fabricante:
SIR412DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIR412DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
12919019
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SIR412DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR412
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIR412DPT1GE3
SIR412DP-T1-GE3CT
SIR412DP-T1-GE3DKR
SIR412DP-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
CSD16412Q5A
FABRICANTE
Texas Instruments
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4364
NÚMERO DA PEÇA
CSD16412Q5A-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.28
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SIRA18ADP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2543
NÚMERO DA PEÇA
SIRA18ADP-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.11
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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