Número do Produto do Fabricante:
SIR403EDP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIR403EDP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
13481 Pcs Novo Original Em Estoque
12787462
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIR403EDP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4620 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR403
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIR403EDP-T1-GE3CT
742-SIR403EDP-T1-GE3TR
742-SIR403EDP-T1-GE3DKR
SIR403EDP-T1-GE3-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIS330DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
SIRA90DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SUP85N10-10-GE3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
