SIR158DP-T1-RE3
Número do Produto do Fabricante:

SIR158DP-T1-RE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIR158DP-T1-RE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

2537 Pcs Novo Original Em Estoque
12965904
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SIR158DP-T1-RE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen III
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4980 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR158

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SIR158DP-T1-RE3DKR
SIR158DP-T1-RE3CT
SIR158DP-T1-RE3TR
SIR158DP-T1-RE3-DG
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
CSD17527Q5A
FABRICANTE
Texas Instruments
QUANTIDADE DISPONÍVEL
12150
NÚMERO DA PEÇA
CSD17527Q5A-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.40
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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