Número do Produto do Fabricante:
SIR150DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIR150DP-T1-RE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 45 V 30.9A (Ta), 110A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
16762 Pcs Novo Original Em Estoque
13270166
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIR150DP-T1-RE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
45 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30.9A (Ta), 110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.71mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4000 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIR150
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIR150DP-T1-RE3CT
742-SIR150DP-T1-RE3DKR
742-SIR150DP-T1-RE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIHH070N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
SIJ150DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
SQS840CENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W