Número do Produto do Fabricante:
SIHU4N80E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHU4N80E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Inventário:
12920734
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SIHU4N80E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
622 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
69W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK (TO-251)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Número do produto base
SIHU4
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHU4N80AE-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2995
NÚMERO DA PEÇA
SIHU4N80AE-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.54
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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