Número do Produto do Fabricante:
SIHS90N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHS90N65E-GE3-DG
Descrição:
E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 87A (Tc) 625W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Inventário:
233 Pcs Novo Original Em Estoque
12949194
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHS90N65E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
591 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11826 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
625W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
SUPER-247™ (TO-274AA)
Pacote / Estojo
TO-274AA
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIHS90N65E-GE3
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIHP17N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
DMP6180SK3-13
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
IRFR014TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
