SIHP4N80E-BE3

Número do Produto do Fabricante:

SIHP4N80E-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIHP4N80E-BE3-DG

Descrição:

N-CHANNEL 600V

Descrição Detalhada:

N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

1000 Pcs Novo Original Em Estoque

12977858

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SIHP4N80E-BE3 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

E

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

800 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

4.3A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.27Ohm @ 2A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

32 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

622 pF @ 100 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

69W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-220AB

Pacote / Estojo

TO-220-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes

742-SIHP4N80E-BE3TR

742-SIHP4N80E-BE3CT

Pacote padrão

1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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