Número do Produto do Fabricante:
SIHP24N65EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHP24N65EF-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
12786832
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SIHP24N65EF-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2656 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SIHP24
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPP65R190E6XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
580
NÚMERO DA PEÇA
IPP65R190E6XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.52
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
FCP190N65F
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1600
NÚMERO DA PEÇA
FCP190N65F-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.98
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPP60R160P6XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
478
NÚMERO DA PEÇA
IPP60R160P6XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.55
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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