Número do Produto do Fabricante:
SIHP15N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHP15N60E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
16573 Pcs Novo Original Em Estoque
12921125
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHP15N60E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SIHP15
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIHP15N60E-GE3TR
SIHP15N60E-GE3DKR
SIHP15N60E-GE3CTINACTIVE
SIHP15N60E-GE3CT
SIHP15N60E-GE3TR-DG
SIHP15N60E-GE3CT-DG
SIHP15N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHP15N60E-GE3DKR-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIA411DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SIHG14N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
ZVN3320ASTOA
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
