Número do Produto do Fabricante:
SIHP11N80AE-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHP11N80AE-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
592 Pcs Novo Original Em Estoque
13141896
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SIHP11N80AE-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
804 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SIHP11
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIHP11N80AE-GE3CT
742-SIHP11N80AE-GE3TR
742-SIHP11N80AE-GE3CT-ND
742-SIHP11N80AE-GE3TR-ND
742-SIHP11N80AE-GE3
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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