Número do Produto do Fabricante:
SIHP052N60EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHP052N60EF-GE3-DG
Descrição:
MOSFET EF SERIES TO-220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
1000 Pcs Novo Original Em Estoque
13140971
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHP052N60EF-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
EF
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3380 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SIHP052
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIHP052N60EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHP052N60EF-GE3TR-ND
742-SIHP052N60EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHP052N60EF-GE
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIHA105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
SIHB105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
SISS94DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
