Número do Produto do Fabricante:
SIHJ10N60E-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHJ10N60E-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
3057 Pcs Novo Original Em Estoque
12916628
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SIHJ10N60E-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
784 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
89W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIHJ10
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SIHJ10N60E-T1-GE3-DG
SIHJ10N60E-T1-GE3TR
SIHJ10N60E-T1-GE3CT
SIHJ10N60E-T1-GE3DKRINACTIVE
742-SIHJ10N60E-T1-GE3TR
742-SIHJ10N60E-T1-GE3CT
SIHJ10N60E-T1-GE3DKR
SIHJ10N60E-T1-GE3TR-DG
SIHJ10N60E-T1-GE3TRINACTIVE
742-SIHJ10N60E-T1-GE3DKR
SIHJ10N60E-T1-GE3CT-DG
SIHJ10N60E-T1-GE3DKR-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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