Número do Produto do Fabricante:
SIHG23N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHG23N60E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventário:
12916909
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SIHG23N60E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2418 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SIHG23
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFH50N60P3
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
386
NÚMERO DA PEÇA
IXFH50N60P3-DG
PREÇO UNITÁRIO
5.53
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R190E6FKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
190
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R190E6FKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.69
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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