Número do Produto do Fabricante:
SIHG22N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHG22N65E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventário:
12964780
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SIHG22N65E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2415 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SIHG22
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STW28N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
96
NÚMERO DA PEÇA
STW28N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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