Número do Produto do Fabricante:
SIHG125N60EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHG125N60EF-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventário:
12939807
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHG125N60EF-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
EF
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1533 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SIHG125
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIHG125N60EF-GE3
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
C3M0015065D
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
NDCTR40120A
MOSFET N-CH 1200V 40A SMD
NTMFS6H852NLT1G
MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN