Número do Produto do Fabricante:
SIHFR1N60A-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHFR1N60A-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12965596
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SIHFR1N60A-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
229 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SIHFR1
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SIHFR1N60A-GE3CTINACTIVE
SIHFR1N60A-GE3CT-DG
SIHFR1N60A-GE3DKRINACTIVE
SIHFR1N60A-GE3DKR
SIHFR1N60A-GE3DKR-DG
SIHFR1N60A-GE3CT
SIHFR1N60A-GE3TR-DG
SIHFR1N60A-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFR1N60APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3041
NÚMERO DA PEÇA
IRFR1N60APBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.59
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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