Número do Produto do Fabricante:
SIHF540S-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHF540S-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12919605
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHF540S-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SIHF540
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF540SPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2846
NÚMERO DA PEÇA
IRF540SPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.90
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SQJ403EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
SI4465ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
SI7112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
