Número do Produto do Fabricante:
SIHF30N60E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHF30N60E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
Inventário:
2979 Pcs Novo Original Em Estoque
12786617
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHF30N60E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
37W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
SIHF30
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIHF30N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHF30N60E-GE3DKR
SIHF30N60E-GE3DKR-DG
742-SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3CT
SIHF30N60E-GE3CT-DG
SIHF30N60E-GE3TR
SIHF30N60E-GE3-DG
SIHF30N60E-GE3TR-DG
SIHF30N60E-GE3TRINACTIVE
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIR166DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SISS60DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
SIHP16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
