SIHF065N60E-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIHF065N60E-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIHF065N60E-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 40A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventário:

1007 Pcs Novo Original Em Estoque
12917823
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SIHF065N60E-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Bulk
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220 Full Pack
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
SIHF065

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIB456DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75

vishay-siliconix

SIHP14N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB

vishay-siliconix

SIB441EDK-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6

vishay-siliconix

SIHF22N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220