Número do Produto do Fabricante:
SIHD6N65ET4-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHD6N65ET4-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12919094
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SIHD6N65ET4-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
820 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SIHD6
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFA14N60P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
50
NÚMERO DA PEÇA
IXFA14N60P-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.25
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXTA14N60P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
235
NÚMERO DA PEÇA
IXTA14N60P-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.12
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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