Número do Produto do Fabricante:
SIHD6N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHD6N65E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
2875 Pcs Novo Original Em Estoque
12786709
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SIHD6N65E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
820 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SIHD6
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIHD6N65E-GE3TRINACTIVE
SIHD6N65E-GE3TR-DG
SIHD6N65E-GE3CT-DG
SIHD6N65E-GE3TR
SIHD6N65E-GE3CT
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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