Número do Produto do Fabricante:
SIHD2N80E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHD2N80E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
1 Pcs Novo Original Em Estoque
12786126
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SIHD2N80E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
315 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SIHD2
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SIHD2N80E-GE3CT
SIHD2N80E-GE3TRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3DKR
SIHD2N80E-GE3CT-DG
SIHD2N80E-GE3DKR-DG
SIHD2N80E-GE3TR-DG
SIHD2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD2N62K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2192
NÚMERO DA PEÇA
STD2N62K3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.54
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SPD02N80C3ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8940
NÚMERO DA PEÇA
SPD02N80C3ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.43
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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