Número do Produto do Fabricante:
SIHD11N80AE-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHD11N80AE-T1-GE3-DG
Descrição:
N-CHANNEL 800V
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventário:
12977865
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHD11N80AE-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
804 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIHD11N80AE-T1-GE3TR
742-SIHD11N80AE-T1-GE3CT
742-SIHD11N80AE-T1-GE3DKR
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SQJ481EP-T1_BE3
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
SQJA76EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQ4080EY-T1_BE3
N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
