Número do Produto do Fabricante:
SIHB33N60ET1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHB33N60ET1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12787346
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHB33N60ET1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3508 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SIHB33
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIHB33N60ET1-GE3-DG
SIHB33N60ET1-GE3TR
SIHB33N60ET1-GE3CT
SIHB33N60ET1-GE3DKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SUD80460E-GE3
MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
SIHA22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIHG17N60D-E3
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
