Número do Produto do Fabricante:
SIHB24N65ET1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHB24N65ET1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12787602
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SIHB24N65ET1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SIHB24
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFA22N65X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
250
NÚMERO DA PEÇA
IXFA22N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
TK16G60W,RVQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
994
NÚMERO DA PEÇA
TK16G60W,RVQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.68
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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