Número do Produto do Fabricante:
SIHA6N80E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHA6N80E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventário:
12920450
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SIHA6N80E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
827 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
31W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220 Full Pack
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
SIHA6
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STP9NK65ZFP
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
68
NÚMERO DA PEÇA
STP9NK65ZFP-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.65
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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