Número do Produto do Fabricante:
SIHA2N80E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHA2N80E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventário:
25 Pcs Novo Original Em Estoque
12786419
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SIHA2N80E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
315 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
29W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220 Full Pack
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
SIHA2
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIHA2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHA2N80E-GE3DKR-DG
SIHA2N80E-GE3CT
SIHA2N80E-GE3TR
SIHA2N80E-GE3DKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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