Número do Produto do Fabricante:
SIHA24N65EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHA24N65EF-GE3-DG
Descrição:
N-CHANNEL 650V
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventário:
1770 Pcs Novo Original Em Estoque
12986559
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SIHA24N65EF-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2774 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220 Full Pack
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIHA24N65EF-GE3
742-SIHA24N65EF-GE3TR-DG
742-SIHA24N65EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHA24N65EF-GE3CT-DG
742-SIHA24N65EF-GE3CT
742-SIHA24N65EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHA24N65EF-GE3TR
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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