Número do Produto do Fabricante:
SIHA21N60EF-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHA21N60EF-E3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventário:
12787527
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHA21N60EF-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
176mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2030 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220 Full Pack
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
SIHA21
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIHP21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
