Número do Produto do Fabricante:
SIHA17N80AE-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHA17N80AE-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventário:
1014 Pcs Novo Original Em Estoque
12978175
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIHA17N80AE-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1260 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
34W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220 Full Pack
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
SIHA17
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIHA17N80AE-GE3
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
TQM110NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
FDS6630A
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
MSC400SMA330B4
MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24
