Número do Produto do Fabricante:
SIE874DF-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIE874DF-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventário:
413 Pcs Novo Original Em Estoque
12787085
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIE874DF-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6200 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
10-PolarPAK® (L)
Pacote / Estojo
10-PolarPAK® (L)
Número do produto base
SIE874
Informação Adicional
Outros nomes
SIE874DF-T1-GE3DKR
SIE874DF-T1-GE3TR
SIE874DF-T1-GE3CT
SIE874DFT1GE3
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SUD50N03-16P-E3
MOSFET N-CH 30V TO252
SIHB15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
