Número do Produto do Fabricante:
SIDR638DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIDR638DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventário:
4725 Pcs Novo Original Em Estoque
12919125
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIDR638DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
204 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10500 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8DC
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIDR638
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SIDR638DP-T1-GE3CT
SIDR638DP-T1-GE3TR
SIDR638DP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI4453DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
SIHP35N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
SIHB35N60E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK