Número do Produto do Fabricante:
SIB912DK-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIB912DK-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC75-6L
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
Inventário:
66112 Pcs Novo Original Em Estoque
12917143
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SIB912DK-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
216mOhm @ 1.8A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
95pF @ 10V
Potência - Máx.
3.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Número do produto base
SIB912
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIB912DKT1GE3
SIB912DK-T1-GE3DKR
SIB912DK-T1-GE3CT
SIB912DK-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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