Número do Produto do Fabricante:
SIB452DK-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIB452DK-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Descrição Detalhada:
N-Channel 190 V 1.5A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventário:
49100 Pcs Novo Original Em Estoque
12917158
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SIB452DK-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
190 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
135 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-75-6
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-75-6
Número do produto base
SIB452
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIB452DK-T1-GE3DKR
SIB452DKT1GE3
SIB452DK-T1-GE3CT
SIB452DK-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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