Número do Produto do Fabricante:
SIB413DK-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIB413DK-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventário:
12966467
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIB413DK-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.63 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
357 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-75-6
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-75-6
Número do produto base
SIB413
Informação Adicional
Outros nomes
SIB413DK-T1-GE3CT
SIB413DKT1GE3
SIB413DK-T1-GE3DKR
SIB413DK-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIB433EDK-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
SIB433EDK-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
MCAC80N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 80A DFN5060
SUD35N10-26P-GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
IXTQ48N65X2M
DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P