Número do Produto do Fabricante:
SIB412DK-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIB412DK-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventário:
12918381
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SIB412DK-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 6.6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.16 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
535 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-75-6
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-75-6
Número do produto base
SIB412
Informação Adicional
Outros nomes
SIB412DK-T1-E3TR
SIB412DK-T1-E3DKR
SIB412DK-T1-E3CT
SIB412DKT1E3
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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