Número do Produto do Fabricante:
SIA850DJ-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIA850DJ-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 190 V 950mA (Tc) 1.9W (Ta), 7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventário:
12918303
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SIA850DJ-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
190 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
90 pF @ 100 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.9W (Ta), 7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número do produto base
SIA850
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIA850DJT1GE3
SIA850DJ-T1-GE3-DG
SIA850DJ-T1-GE3CT
SIA850DJ-T1-GE3TR
SIA850DJ-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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