SIA817EDJ-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIA817EDJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIA817EDJ-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventário:

1806 Pcs Novo Original Em Estoque
12917873
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SIA817EDJ-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 15 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número do produto base
SIA817

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SIA817EDJ-T1-GE3TR
SIA817EDJ-T1-GE3CT
SIA817EDJ-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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