Número do Produto do Fabricante:
SIA810DJ-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIA810DJ-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventário:
12918660
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIA810DJ-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 3.7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 10 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número do produto base
SIA810
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIA810DJ-T1-E3DKR
SIA810DJT1E3
SIA810DJ-T1-E3TR
SIA810DJ-T1-E3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIRA00DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SI4864DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
SI4378DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 19A 8SO
