Número do Produto do Fabricante:
SIA477EDJ-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIA477EDJ-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 12A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventário:
12913670
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SIA477EDJ-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 8 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2970 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6
Número do produto base
SIA477
Informação Adicional
Outros nomes
SIA477EDJ-T1-GE3TR
SIA477EDJ-T1-GE3DKR
SIA477EDJ-T1-GE3-DG
SIA477EDJ-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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