Número do Produto do Fabricante:
SIA469DJ-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIA469DJ-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Inventário:
179015 Pcs Novo Original Em Estoque
12914888
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIA469DJ-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen III
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1020 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
15.6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6
Número do produto base
SIA469
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIA469DJ-T1-GE3CT
SIA469DJ-T1-GE3TR
SIA469DJ-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IXFR24N50Q
MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
SIA472EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
IRFR9014TRL
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
