Número do Produto do Fabricante:
SIA456DJ-T3-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIA456DJ-T3-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 1.1A (Ta), 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventário:
13277375
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SIA456DJ-T3-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6
Número do produto base
SIA456
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIA456DJ-T3-GE3TR
Pacote padrão
10,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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