SIA445EDJT-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIA445EDJT-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIA445EDJT-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

Inventário:

2300 Pcs Novo Original Em Estoque
12920080
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SIA445EDJT-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.7mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2180 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
19W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6
Número do produto base
SIA445

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SIA445EDJT-T1-GE3DKR
SIA445EDJT-T1-GE3TR
SIA445EDJT-T1-GE3-DG
SIA445EDJT-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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