Número do Produto do Fabricante:
SIA110DJ-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIA110DJ-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 5.4A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventário:
5350 Pcs Novo Original Em Estoque
12919878
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SIA110DJ-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.4A (Ta), 12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6
Número do produto base
SIA110
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SIA110DJ-T1-GE3TR-DG
742-SIA110DJ-T1-GE3DKR
SIA110DJ-T1-GE3CT-DG
SIA110DJ-T1-GE3TR
SIA110DJ-T1-GE3DKR
742-SIA110DJ-T1-GE3TR
SIA110DJ-T1-GE3DKR-DG
SIA110DJ-T1-GE3CT
742-SIA110DJ-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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