Número do Produto do Fabricante:
SI8900EDB-T2-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI8900EDB-T2-E1-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Inventário:
12915142
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI8900EDB-T2-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1.1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
10-UFBGA, CSPBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Número do produto base
SI8900
Informação Adicional
Outros nomes
SI8900EDBT2E1
SI8900EDB-T2-E1DKR
SI8900EDB-T2-E1TR
SI8900EDB-T2-E1CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI4214DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
SI1016X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
SI4943CDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC