SI8823EDB-T2-E1
Número do Produto do Fabricante:

SI8823EDB-T2-E1

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI8823EDB-T2-E1-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

Inventário:

2971 Pcs Novo Original Em Estoque
12913356
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SI8823EDB-T2-E1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen III
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
800mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
580 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
900mW (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Pacote / Estojo
4-XFBGA
Número do produto base
SI8823

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI8823EDB-T2-E1TR
SI8823EDB-T2-E1CT
SI8823EDB-T2-E1DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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